核武器爆炸時產(chǎn)生的殺傷破壞效應(yīng)，有沖擊波、熱輻射、核輻射和放射性污染等，此外由于這些主要效應(yīng)作用于周圍環(huán)境也會產(chǎn)生一些其他次級效應(yīng)，例如，核爆炸所引起的地震現(xiàn)象。還有另一種次級效應(yīng)，這就是核電磁脈沖，即核輻射與周圍環(huán)境相作用，發(fā)生帶電粒子運動，從而產(chǎn)生可以傳播很遠距離的電磁場。在爆點附近，這種場具有很高的場強，而且可以傳播到較遠的地方，其距離是核爆炸的其他效應(yīng)所望塵莫及的，甚至比核輻射本身傳播的距離還要遠。這一次績效應(yīng)會對未加固和采用防護措施的電子設(shè)備和武器系統(tǒng)，產(chǎn)生干擾和破壞作用。
由于核爆炸產(chǎn)生的電磁脈沖的產(chǎn)生機理、輻射規(guī)律、干擾與破壞效應(yīng)、以及防護措施等所波及的理論與實踐問題較復(fù)雜，限制于篇幅，這里
泰思特小編只能從概念上予以介紹。
1、核爆電磁效應(yīng)。核爆炸環(huán)境是一個相當(dāng)復(fù)雜的問題，除沖擊波、熱輻射和核輻射等主要效應(yīng)外，還有各種 電磁效應(yīng)，如瞬發(fā)輻射效應(yīng)、電磁傳播效應(yīng)、噪聲效應(yīng)和“百眼巨人”效應(yīng)等。
1）瞬發(fā)輻射效應(yīng)。這指的是核爆炸所產(chǎn)生的瞬發(fā)輻射對電子元器件和系統(tǒng)的破壞效應(yīng)，主要是中子流和γ射線與其直接作用，從而引起位錯、電離合化學(xué)等作用，使電子電路發(fā)生故障。
2）電波傳播效應(yīng)。核爆炸產(chǎn)生的各種輻射使大氣發(fā)生異常電離，電離層受到騷擾，使電波傳播發(fā)生衰減、反射、折射等現(xiàn)象，從而影響電子設(shè)備或系統(tǒng)的正常工作。
3）噪聲效應(yīng)。大當(dāng)量核爆炸時，由于爆炸區(qū)附近或其共軛區(qū)中的電纜的噪聲大大增加，長時間超過正常接收信號電平幾十分貝，對電子設(shè)備或系統(tǒng)的正常工作產(chǎn)生一定的影響。噪聲效應(yīng)分為三種：核電磁脈沖效應(yīng)、火球噪聲和同步加速噪聲，對于核電脈沖效應(yīng)將專門討論，這里先介紹火球噪聲和同步加速噪聲。
4）“百眼巨人”效應(yīng)。這個效應(yīng)是1958年美國在南大西洋上空進行百眼巨人系統(tǒng)高空核試驗時發(fā)現(xiàn)的，因此而得名。
綜上所述，可以把核爆炸電磁效應(yīng)分為“直接效應(yīng)”和“間接效應(yīng)”兩類，核爆炸時輻射出的射頻電磁信號，如直接為電子設(shè)備或系統(tǒng)的天線所接收，可使保險絲熔斷，電子線路損傷，或使接收的有用信號受到干擾，此即為“直接效應(yīng)”。前述的核電磁脈沖、瞬發(fā)輻射效應(yīng)、噪聲等，就同屬“直接效應(yīng)”一類。核爆炸產(chǎn)生的中子，x射線，y射線和β粒子等，使大氣嚴重電離，形成附加電離區(qū)，使電波傳播發(fā)生衰減、反射和折射等現(xiàn)象，從而影響無線電通信和電子系統(tǒng)的工作，這種效應(yīng)一般稱為“間接效應(yīng)”。
2、核電磁脈沖。核電磁脈沖與雷電電磁脈沖都是高強度的瞬態(tài)電磁現(xiàn)象，但在產(chǎn)生機理、頻譜分布以及影響范圍等方面不相同。雷電放電產(chǎn)生的電流，密度高并且是耗散的；核電磁脈沖產(chǎn)生的電流，密度低且呈球形分布，核電磁脈沖的上升時間極快，比雷電高兩三個數(shù)量級，與雷電脈沖比，核電磁脈沖的影響范圍更廣，而雷電則僅影響局部區(qū)域。核電磁脈沖效應(yīng)，是核武器爆炸時產(chǎn)生的電磁脈沖與電子系統(tǒng)相作用，在其內(nèi)感應(yīng)出電流或電壓的結(jié)果，這種效應(yīng)則使電路的電磁增加，從而影響其正常工作，重則因焦耳熱使電子系統(tǒng)本身受到破壞。
電磁脈沖可以看作不同頻率三角級數(shù)函數(shù)的總和，即傅里葉級數(shù)。因為不同頻率的輻射電磁信號在大氣中的傳播特性不同，故核電磁的波形隨距離變化而不同，在空氣中電磁信號傳播時發(fā)生衰減的情況不同，頻率越高，衰減越迅速，在電離層中，電磁信號傳播視電子密度而定。核爆炸使電子密度發(fā)生變化，從而也影響到輻射電磁脈沖的傳輸。
核電磁脈沖對電子系統(tǒng)造成的損壞，簡單來說，就是核電磁脈沖分別以磁場或電場引起的感應(yīng)電流或傳導(dǎo)電流進入易損的電子系統(tǒng)，使其正常工作受到干擾或使系統(tǒng)本身受到破壞。這種效應(yīng)與接收面積、墊子率、耦合系數(shù)、元器件的容限等因素有關(guān)。
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