ESD的威脅機(jī)理
ESD可以在電荷累積和放電兩個(gè)不同的階段形成威脅。ESD可能會(huì)產(chǎn)生很嚴(yán)重的危害（
ESD測(cè)試儀模擬測(cè)試），比如說(shuō)產(chǎn)生不可逆轉(zhuǎn)的性能下降或損壞，也可能只是引起比較輕微的ESD感應(yīng)錯(cuò)誤，可以通過(guò)重新設(shè)置或重新啟動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行修正（邏輯錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)丟失、程序運(yùn)行發(fā)生變化等等），通常認(rèn)為這種危害與能量或電壓有關(guān)。主要的耦合機(jī)理是直接傳導(dǎo)，通過(guò)第二級(jí)電弧傳導(dǎo)、電容耦合以及電感耦合（磁場(chǎng)）。
一、由預(yù)放電電場(chǎng)引起的威脅
預(yù)放電的靜電場(chǎng)可以通過(guò)比特反轉(zhuǎn)、電荷的泄放以及絕緣介質(zhì)的擊穿等方式來(lái)影響固態(tài)電子電路。靜電場(chǎng)還能吸引粉塵，這是制造過(guò)程中要特別注意的問(wèn)題。
二、由放電電流引起的威脅
1、直接傳導(dǎo)；
放電電流可以通過(guò)多種方式來(lái)?yè)p壞受擾設(shè)備，主要是對(duì)薄介質(zhì)層的絕緣擊穿以及由電流產(chǎn)生的熱效應(yīng)損壞。場(chǎng)效應(yīng)器件特別敏感，如CMOS、ROM以及偶極器件?，F(xiàn)在，大多數(shù)集成電路設(shè)計(jì)都具有ESD保護(hù)電路，用以對(duì)過(guò)高的電壓進(jìn)行鉗位。保護(hù)輸入的失效電壓（也就是會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的電壓）通常與由ESD產(chǎn)生的電流脈沖的上升時(shí)間密切相關(guān)，上升時(shí)間越快則對(duì)應(yīng)的可能失效的電平就越低。因此，保護(hù)電路的反應(yīng)速度是非常重要的。
2、二級(jí)放電
如果線路是浮地的或者沒(méi)有共用一個(gè)地，則線路很容易受到二級(jí)電弧放電的影響。例如對(duì)一個(gè)機(jī)殼放電時(shí)，如果在地通道上有一個(gè)足夠大的電感，則在機(jī)殼上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)對(duì)地很高的電壓，機(jī)殼內(nèi)一塊使用外部地的電路板將承受一個(gè)相對(duì)于機(jī)殼的很大的電位差。如果機(jī)殼和板間的距離很小，就會(huì)出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，形成二級(jí)電弧放電。
三、由輻射場(chǎng)引起的威脅
由ESD引起的輻射場(chǎng)可以直接損壞敏感電路，或者通過(guò)在輸入-輸出電纜、開(kāi)孔、縫、通風(fēng)孔上產(chǎn)生激勵(lì)而損壞電路。它還能產(chǎn)生一些有害的效應(yīng)，如對(duì)示波器的誤觸發(fā)等等。ESD產(chǎn)生的頻譜超過(guò)1GHZ，因此在保護(hù)設(shè)計(jì)中，最好的方法是確保受擾的設(shè)備只能作為一個(gè)效率很低的接收天線。從互易原理看，一個(gè)設(shè)計(jì)很好的設(shè)備同樣也應(yīng)該只能作為一個(gè)很差的發(fā)射天線。電場(chǎng)主要是在高阻抗天線和電壓探測(cè)電路上耦合，如線性元件和信號(hào)線上。磁場(chǎng)則易被低阻抗天線和電路環(huán)耦合。而且磁場(chǎng)更容易穿透屏蔽殼體。對(duì)于電路設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，磁場(chǎng)耦合是一個(gè)很難解決的問(wèn)題，因?yàn)楹茈y識(shí)別電路板上非人為的換天線，
四、由引燃?xì)怏w顆粒產(chǎn)生的威脅
值得重視的一點(diǎn)就是ESD不僅僅對(duì)電器產(chǎn)生危害，它還可以點(diǎn)燃?xì)怏w或者顆粒材料，產(chǎn)生爆炸。因此，在危險(xiǎn)的環(huán)境中，比如軍事裝配場(chǎng)所、石油供應(yīng)商和用戶、采礦工業(yè)等，是需要嚴(yán)格控制ESD的。
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